Data Sheet
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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAP222
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Ultra small mold type. (EMD3)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 80VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (single) 300IFM
mA
Average rectified forward voltage (single) 100Io mA
Isurge
A
Power dissipation 150Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.2 V IF=100mA
IR
- - 0.1
μAVR=70V
Ct - - 3.5 pF VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Surge current （t=1us）
4
Storage temperature
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Parameter
Conditions
Forward voltage
Reverse current
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5?0.1
0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
ROHM : EMD3
JEDEC : SOT-416
JEITA : SC-75A
dot (year week factory)
(3)
1.6±0.2
1.6±0.2
1.0±0.1
0.8±0.1
0.5
0.5
(2)
(1)
0.15±0.05
0.7±0.1
0.55±0.1
0.1Min
0～0.1
0.2±0.1
-0.05
0.3±0.1
0.05
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
1/2
2011.06 - Rev.B
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